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日期:2025-09-12瀏覽:8次
半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)的場景應(yīng)用
高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關(guān)性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重,而HTRB性能越差,因此,材料的電阻率是HTRB失效測量的一個關(guān)鍵測量手段。
關(guān)于環(huán)氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)高低溫測試技術(shù),已證明此測試方式是有效的,同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。
應(yīng)用場景:
l 電子元器件:在電子產(chǎn)品中,電容器、電阻器、半導(dǎo)體器件等需要在不同溫度下進(jìn)行試驗,以評估其性能和可靠性。例如,鋰電池和太陽能電池在高低溫環(huán)境下的表現(xiàn)直接影響其應(yīng)用效果,因此需要進(jìn)行高低溫試驗;
l 新能源材料:對于新能源材料如鋰電池和太陽能電池,高低溫試驗尤為重要。這些材料在惡劣溫度下的性能表現(xiàn)直接關(guān)系到其實際應(yīng)用效果和壽命;
l 汽車零部件:汽車零部件需要在不同的氣候條件下進(jìn)行試驗,以評估其耐用性和可靠性。車輛在不同氣候條件下會遇到各種惡劣溫度,因此汽車零部件的高低溫試驗是確保其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵;
l 半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的電阻率測試在高低溫條件下進(jìn)行,可以用于測量硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)等材料的電阻率。這種測試方法廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)過程中。
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